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功率器件失效分析電力電子器件

簡(jiǎn)要描述：功率器件失效分析電力電子器件：功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外較為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測(cè)試無法評(píng)估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)。

廠商性質(zhì)：工程商
更新時(shí)間：2024-11-06
訪問次數(shù)：705

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相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

品牌	廣電計(jì)量

服務(wù)范圍

功率器件失效分析電力電子器件：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

l GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)?法和程序

l GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法

l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測(cè)項(xiàng)目

試驗(yàn)類型	試驗(yàn)項(xiàng)?
?損分析	X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡
電特性/電性定位分析	電參數(shù)測(cè)試、IV&CV 曲線量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗(yàn)證
破壞性分析	開封、去層、切片、芯片級(jí)切片、推拉力測(cè)試
微觀顯微分析	DB FIB切片截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

功率器件失效分析電力電子器件：受益于國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)功率器件廠商迎來了發(fā)展機(jī)會(huì)。在成長(zhǎng)中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計(jì)、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測(cè)試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量擁有業(yè)界的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來料檢驗(yàn)、加?組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié)，為客戶提供失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展設(shè)計(jì)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。

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